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碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；

800V時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間。

碳化硅器件在具體應用場景中表現(xiàn)出的特性是：

耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱，使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱，可承受600°C以上高溫環(huán)境。

SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiCSBD模組的光伏逆變器能將轉(zhuǎn)換效率由96%提升至99%以上，能量損耗可降低50%以上，設備循環(huán)壽命提升50倍。

對于100kW的太陽能逆變器，其平均需要30-50顆SiC器件。二極管與三極管比例在4:1與5:1之間。據(jù)CASA預測，2025年光伏逆變器中SiC器件價值

占比將增長至50%。